概述:
"賽福牌" 金屬化薄膜脈沖脈沖(儲(chǔ)能)電容器能夠在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)充電,而在極短時(shí)間內(nèi)放電,從而形成一個(gè)巨大的脈沖功率.脈沖功率的獲取是靠已充電的脈沖電容器組,通過(guò)主電抗器短時(shí)振蕩放電獲得的,而脈沖電容器組是在試驗(yàn)前由功率不大的充電裝置,用較長(zhǎng)的時(shí)間充電,振蕩放電僅為數(shù)十毫秒,從而大大提高了試驗(yàn)功率與電源功率之比,提高了經(jīng)濟(jì)效率.
應(yīng)用領(lǐng)域:
廣泛應(yīng)用于充磁機(jī)、退磁機(jī),激光電源,醫(yī)用器械,儲(chǔ)能焊接機(jī)等;直流高壓設(shè)備、整流濾波裝置振蕩回路、連續(xù)脈沖裝置,沖擊電壓發(fā)生器、沖擊電流發(fā)生器、沖擊分壓器及-非連續(xù)脈沖裝置.
主要特點(diǎn):
.功耗低,適宜于大功率、大電流、高耐壓、高浪涌應(yīng)用;
.具有最好的容量和體積性能比;
.隨溫度變化小,使用壽命長(zhǎng);
.反峰電壓可達(dá)最高;
.高儲(chǔ)能,耐高脈沖電流能力;
.自恢復(fù)特性好,性能穩(wěn)定;
.低電感,低ESR;
主要技術(shù)參數(shù):
.容量范圍:C=100μF~6000μF;
.容量偏差:一般±5%,根據(jù)要求可以更小;
.額定電壓:Un=1KV~5KV;
.反峰電壓可達(dá)80%以上;
.充放電次數(shù):可達(dá)2,000,000次;
.損耗角正切:tgδ≤(100Hz);
.使用環(huán)境溫度寬:-40℃~+75℃;
.使用地點(diǎn):任何地點(diǎn);
.使用標(biāo)準(zhǔn):JB/T8168 或客戶(hù)要求.
主要產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品型號(hào) | 電壓(KV) | 容量(μF) |
MFO(D)1K | 1000 | |
MFO(D)1K | 2000 | |
MFO(D)1K | 5000 | |
MFO(D)1K | 500 | |
MFO(D)1K | 1000 | |
MFO(D)1K | 2000 | |
MFO(D)1K | 500 | |
MFO(D)1K | 1000 | |
MFO(D)1K | 1500 | |
MFO(D)1K | 200 | |
MFO(D)1K | 500 | |
MFO(D)1K | 1000 | |
MFO(D)1K | 1500 | |
MFO(D)2K | 200 | |
MFO(D)2K | 500 | |
MFO(D)2K | 1000 | |
MFO(D)2K | 500 | |
MFO(D)2K | 1000 | |
MFO(D)2K | 200 | |
MFO(D)2K | 500 | |
MFO(D)3K | 200 | |
MFO(D)3K | 500 | |
MFO(D)4K | 200 | |
MFO(D)4K | 500 | |
MFO(D)4K | 200 | |
MFO(D)4K | 500 | |
MFO(D)5K | 200 | |
MFO(D)5K | 500 | |
以上數(shù)據(jù)僅供參考,根據(jù)用戶(hù)要求,我們可以設(shè)計(jì)、制造其它規(guī)格要求的脈沖電容器. | ||





